Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 117W |
Ucb,max | 150V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 10A |
Ft,max | 800KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 50/150 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|