Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 600mW |
Ucb,max | 25V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 1V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 250MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 150MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
bharatБиполярные транзисторы bharatIGBT транзисторы bharatFET транзисторы bharat |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|