Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 30MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | TV Horizontal Deflection |
to39 | Распиновка |
---|---|