Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 25mA |
Ft,max | 400MHz |
Cctip,pF | 0.2 |
Hfe | 26MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
zetexБиполярные транзисторы zetexIGBT транзисторы zetexFET транзисторы zetex |
Назначение | RF, Medium Power General Purpose |
to226 | Распиновка |
---|---|