Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 25mA |
Ft,max | 550MHz |
Cctip,pF | 1.8 |
Hfe | 38MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
zetexБиполярные транзисторы zetexIGBT транзисторы zetexFET транзисторы zetex |
Назначение | RF, Medium Power General Purpose |
x09 | Распиновка |
---|---|