Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 36OmW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 400MHz |
Cctip,pF | 0.4 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 160ºC |
Аналоги | BF167 |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение |
to226 | Распиновка |
---|---|