Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 625mW |
Ucb,max | 150V |
Uce,max | 150V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30/200 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BSV68 2N3637 |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Medium Power, High Voltage, General Purpose |
to226 | Распиновка |
---|---|