Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 1.25W |
Ucb,max | 300V |
Uce,max | 300V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 4.5 |
Hfe | 25MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | RF, Medium Power, High Voltage |
to126 | Распиновка |
---|---|