Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 625mW |
Ucb,max | 250V |
Uce,max | 250V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 80MHz |
Cctip,pF | 1.8 |
Hfe | 40/350 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BFT44 2N5416 |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | RF, Medium Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|