Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 2W |
Ucb,max | 200V |
Uce,max | 150V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 40MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BF659 2N5058 |
Изготовитель |
motorolaБиполярные транзисторы motorolaIGBT транзисторы motorolaFET транзисторы motorola |
Назначение | RF, Medium Power, High Voltage |
to202 | Распиновка |
---|---|