Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 30mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 0.8 |
Hfe | 67MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | RF, Medium Power General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|