Биполярный транзистор - BF536
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 200mW |
| Ucb,max | 30V |
| Uce,max | 30V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 25mA |
| Ft,max | 250MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 25MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
| Назначение | RF, Medium Power General Purpose |
| to226 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |