Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 110mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 25mA |
Ft,max | 350MHz |
Cctip,pF | 0.3 |
Hfe | 38MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
siemensБиполярные транзисторы siemensIGBT транзисторы siemensFET транзисторы siemens |
Назначение | RF, Medium Power General Purpose |
to226 | Распиновка |
---|---|