Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 310mW |
Ucb,max | 300V |
Uce,max | 300V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 50MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
sot23 | Распиновка |
---|---|