Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 360mW |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 15 |
Hfe | 60MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BC639 2N3700 KT698B |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | RF, Medium Power, High Voltage |
to50-3 | Распиновка |
---|---|