Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 150mA |
Ft,max | 3.6GHz |
Cctip,pF | 1.4 |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | Low Power, Switching |
to51 | Распиновка |
---|---|