Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 250V |
Uce,max | 250V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 40/350 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BFT19B 2N5416 |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение |
to5 | Распиновка |
---|---|