Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 18V |
Uce,max | 10V |
Ueb,max | 2V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 1.2GHz |
Cctip,pF | 1.3 |
Hfe | 25MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BFT25 |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | Ultra High Frequency, Medium Power |
sot23 | Распиновка |
---|---|