Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | |
Ic,max | 150mA |
Ft,max | 5GHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | Small Signal |
to51 | Распиновка |
---|---|