Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 2O |
Hfe | 7OMIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | 2N4929 SE8510 SE8520 SE8521 SE8541 SE8542 |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
to5 | Распиновка |
---|---|