Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 130mW |
Ucb,max | 25V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 2V |
Ic,max | 25mA |
Ft,max | 1GHz |
Cctip,pF | 1.4 |
Hfe | 20/150 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | UHF, Low Power |
to50 | Распиновка |
---|---|