Биполярный транзистор - BFX30
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 600mW |
| Ucb,max | 65V |
| Uce,max | 65V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 600mA |
| Ft,max | 100MHz |
| Cctip,pF | 12 |
| Hfe | 50MIN |
| Tj,max | 200ºC |
| Аналоги | BFX29 2N2905A KT933V |
| Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
| Назначение | Medium Power, Switching, High Frequency |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |