Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 600mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 40MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BSX33 2N731 |
Изготовитель |
intersilБиполярные транзисторы intersilIGBT транзисторы intersilFET транзисторы intersil |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to18 | Распиновка |
---|---|