Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 70MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BSW66 2N4001 |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
to5 | Распиновка |
---|---|