Биполярный транзистор - 2N3130
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 150mW |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | 60V |
| Ueb,max | 8V |
| Ic,max | 100mA |
| Ft,max | 60MHz |
| Cctip,pF | 6 |
| Hfe | 60MIN |
| Tj,max | 110ºC |
| Аналоги | KT3102B |
| Изготовитель |
nwmБиполярные транзисторы nwmIGBT транзисторы nwmFET транзисторы nwm |
| Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
| x16 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |