Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 5W |
Ucb,max | 18V |
Uce,max | 18V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 400mA |
Ft,max | 1.4GHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 10/200 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение |
n/a | Распиновка |
---|---|