Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 150W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 20A |
Ft,max | |
Cctip,pF | |
Hfe | 30/150 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | 2N5884 |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | RF, Power |
to3 | Распиновка |
---|---|