Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 70V |
Uce,max | |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 250MHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение |
n/a | Распиновка |
---|---|