Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 425mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | |
Ic,max | 600mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | 2N2907 |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | RF, Medium Power, General Purpose |
sot23 | Распиновка |
---|---|