Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 1W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | |
Ueb,max | |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 3500T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение | Darlington, Medium Power |
to18 | Распиновка |
---|---|