Биполярный транзистор - 2N3216
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 150mW |
| Ucb,max | 20V |
| Uce,max | 10V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 500mA |
| Ft,max | 9MHz |
| Cctip,pF | 20 |
| Hfe | 60MIN |
| Tj,max | 90ºC |
| Аналоги | ASY27 2N1305 2SA415 ECG100 GT321V |
| Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
| Назначение | Medium Power, Switching, High Frequency |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |