Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 62W |
Ucb,max | 700V |
Uce,max | 375V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 6A |
Ft,max | 4MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BUX81 2N6547 KT885B |
Изготовитель |
iprБиполярные транзисторы iprIGBT транзисторы iprFET транзисторы ipr |
Назначение | RF, Power, High Voltage |
to3 | Распиновка |
---|---|