Биполярный транзистор - BUH51
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 50W |
| Ucb,max | 800V |
| Uce,max | 500V |
| Ueb,max | 10V |
| Ic,max | 3A |
| Ft,max | 23MHz |
| Cctip,pF | 100 |
| Hfe | 8/10 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
on semiБиполярные транзисторы on semiIGBT транзисторы on semiFET транзисторы on semi |
| Назначение | Power, Switching |
| to126 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |