Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 7W |
Ucb,max | 200V |
Uce,max | 170V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 10A |
Ft,max | 90MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 40MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | High Power, High Voltage, High Frequency |
to39 | Распиновка |
---|---|