Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 150W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 30A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 20/150 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | RF, Power, General Purpose |
to61 | Распиновка |
---|---|