Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 30W |
Ucb,max | 150V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 10A |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 40MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
ferrantiБиполярные транзисторы ferrantiIGBT транзисторы ferrantiFET транзисторы ferranti |
Назначение | Power, High Voltage, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|