Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 750mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 50MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
teledyneБиполярные транзисторы teledyneIGBT транзисторы teledyneFET транзисторы teledyne |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to237 | Распиновка |
---|---|