Биполярный транзистор - C1
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 825mW |
| Ucb,max | 20V |
| Uce,max | 20V |
| Ueb,max | 3V |
| Ic,max | 1A |
| Ft,max | |
| Cctip,pF | |
| Hfe | 150MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
teledyneБиполярные транзисторы teledyneIGBT транзисторы teledyneFET транзисторы teledyne |
| Назначение |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |