Биполярный транзистор - C100
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 750mW |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | 50V |
| Ueb,max | |
| Ic,max | 1A |
| Ft,max | - |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 50MIN |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
teledyneБиполярные транзисторы teledyneIGBT транзисторы teledyneFET транзисторы teledyne |
| Назначение | Low Power, General Purpose |
| to106 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |