Биполярный транзистор - C1002
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 200mW |
| Ucb,max | 30V |
| Uce,max | 30V |
| Ueb,max | 6V |
| Ic,max | 50mA |
| Ft,max | 70MHz |
| Cctip,pF | 4 |
| Hfe | 450MIN |
| Tj,max | 125ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
teledyneБиполярные транзисторы teledyneIGBT транзисторы teledyneFET транзисторы teledyne |
| Назначение | Low Power, General Purpose |
| to106 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |