Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 350mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 800MHz |
Cctip,pF | 2 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
sot23 | Распиновка |
---|---|