Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 320mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 450MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
sot23 | Распиновка |
---|---|