Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 18V |
Ueb,max | |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 900MHz |
Cctip,pF | 300 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение |
sot23 | Распиновка |
---|---|