Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 320mW |
Ucb,max | 130V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 40MIN |
Tj,max | 140ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение |
sot23 | Распиновка |
---|---|