Биполярный транзистор - C5T5551
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 350mW |
| Ucb,max | 180V |
| Uce,max | 160V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 200mA |
| Ft,max | 160MHz |
| Cctip,pF | 2 |
| Hfe | 30MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
| Назначение |
| sot89 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |