Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 280mW |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 350MHz |
Cctip,pF | 3.5 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение |
sot23 | Распиновка |
---|---|