Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 5W |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 24V |
Ueb,max | |
Ic,max | 400mA |
Ft,max | 2.7GHz |
Cctip,pF | 40 |
Hfe | 10MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение |
to62 | Распиновка |
---|---|