Биполярный транзистор - CG125B

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность npn
Pc,max 200mW
Ucb,max
Uce,max 20V
Ueb,max
Ic,max 20mA
Ft,max 2GHz
Cctip,pF
Hfe 12MIN
Tj,max 175ºC
Аналоги
Изготовитель

n/a

Биполярные транзисторы n/a

IGBT транзисторы n/a

FET транзисторы n/a

Назначение
micro-x Распиновка