Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | |
Ic,max | 20mA |
Ft,max | 12GHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 8.5MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение |
micro-x | Распиновка |
---|---|