Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 117W |
Ucb,max | 35V |
Uce,max | 35V |
Ueb,max | |
Ic,max | 15A |
Ft,max | 800KHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение |
can | Распиновка |
---|---|